Quelle est la principale méthode utilisée dans la technologie de croissance de plaquettes épitaxiales dirigées ?
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La technologie de croissance de plaquettes épitaxiales LED adopte principalement le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD). MOCVD est une technologie de croissance épitaxiale couramment utilisée, qui peut réaliser la croissance de la couche épitaxiale sous le contrôle précis du débit du gaz de réaction, de la température et de la pression. , etc. Les avantages du MOCVD incluent la capacité de contrôler avec précision l'épaisseur et la composition de la couche épitaxiale, ce qui convient à la production de masse et constitue la principale méthode de production de LED à ultra haute luminosité. Les avantages du MOCVD incluent la capacité de contrôler avec précision l'épaisseur et la composition de la couche épitaxiale, ce qui le rend adapté à la production de masse et constitue la principale méthode de production de LED à ultra haute luminosité.
De plus, l'épitaxie par jet moléculaire (MBE) est également une technologie de croissance épitaxiale importante, la MBE est réalisée dans un environnement ultra-vide, grâce au contrôle de l'intensité et de l'angle d'incidence du faisceau atomique ou moléculaire, la croissance épitaxiale sur le substrat, la MBE peut réaliser le niveau atomique de contrôle précis, adapté à la préparation de structures complexes et de haute qualité de tranches épitaxiales, mais son efficacité de production est faible.
D'autres méthodes de croissance épitaxiale comprennent l'épitaxie en phase vapeur (VPE) et l'épitaxie en phase liquide (LPE). Le VPE est plus simple mais moins efficace, tandis que le LPE est plus productif et adapté à la fabrication de dispositifs électroluminescents à haute luminosité, mais sa portée Son champ d'application est relativement limité.
